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Ultraschnelle elektrische Kontrolle optischer Eigenschaften und Übergänge einzelner Halbleiter-Quantenpunkte / Bearbeiter: M. Sc. Alex Widhalm. Paderborn, 2018
Inhalt
Grundlagen zu Quantenpunkten
Quantum confinement
Energieniveaus der Quantenpunkte
Optische Auswahlregeln
Quantum Confined Stark Effekt
Messmethoden
Quantenpunkt-Photodioden
Probendesign von nieder-kapazitiven QD-Photodioden
Herstellung der Quantenpunkte mittels SK-Wachstum
Wachstumsstruktur des Probenmaterials
Herstellung von Quantenpunkt-Photodioden
Gesamtkapazität der Photodiode
Instrumentarisierung
Übersicht des experimentellen Aufbaus
Fabry-Perot Interferometer
BiCMOS Schaltkreise
Experimenteller Aufbau zu -PL Untersuchungen
Experimenteller Aufbau zur resonanten Anregung des Quantenpunkts mittels Dauerstrich-Laser
Photostrom-Detektion
Instrumentarisierung für Experimente zur Phasenkontrolle
Instrumentarisierung für Experimente zu RAP
Systemintegration von SiGe-Chip und QD-Photodiode
Theoretische Grundlagen zum TLS
Zwei-Niveau System
Zwei-Niveau System bei externer Anregung
Rabi-Oszillationen
Optische Bloch-Gleichungen
Repräsentation von Zuständen auf der Bloch-Kugel
OBE zur Simulation experimenteller Daten
Allgemeine Eigenschaften untersuchter Quantenpunkte
Spannungsabhängige Photolumineszenzmessungen
Photostrommessungen an einzelnen Quantenpunkten
Bestimmung der Koeffizienten des QCSE
Linienbreite des Exziton Grundzustands
Rabi-Oszillationen
Rabi-Oszillationen bei verschiedenen Pulsdauern
Experimente zur Quanteninterferenz
Quanteninterferenz: Ramsey-Interferenzen
Experimente zur Phasenkontrolle
Theoretische Berechnungen zu experimentellen Daten
Verschwindender Kontrast der Quanteninterferenz bei höherer Phasenverschiebung
Experimente zum elektrisch induzierten RAP
Experimente zur Bestimmung des elektrischen Pulses
Elektrisch induzierte Rapid Adiabatic Passage
Zusammenfassung
Anhang
Abbildungsverzeichnis
Tabellenverzeichnis
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